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IPD50P04P4-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力和良好的导通特性，适用于多种电源管理及控制电路。其主要参数包括：漏极电流ID为50A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至10毫欧，有助于减少能量损耗并提升整体效率。该器件常用于高侧开关、电池供电设备、智能家电以及各类便携式电子产品中，为电路提供稳定、高效的性能支持。
- 商品型号
- IPD50P04P4-13-HXY
- 商品编号
- C49256452
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374227克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
IPD50P04P4-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 40V，ID = - 40A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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