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SVD5867NLT4G-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能和稳定性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：漏极电流ID为20A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至27毫欧。低导通电阻有效降低功率损耗并提升系统效率，适合高频率开关应用。广泛用于电源管理、电机驱动、消费类电子及智能设备中，为电路设计提供可靠性和高性能支持。
- 商品型号
- SVD5867NLT4G-HXY
- 商品编号
- C49256451
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
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