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SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，具有5A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中低功率电源管理应用。其导通电阻（RDON）低至68mΩ，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。该器件常用于各类便携式设备与小型电子装置中的电源开关、电压调节、负载控制及电池充放电管理等场景。凭借较低的导通电阻与稳定的电气性能，可在多种通用电路设计中提供可靠支持。
- 商品型号
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- 商品编号
- C49256443
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V；98mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
SQ2319ADS-T1_GE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = - 40V,ID = - 5A
- 当VGS = - 10V时,RDS(ON) < 85mΩ
- 当VGS = - 4.5V时,RDS(ON) < 120mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器
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