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SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）为P沟道增强型器件，支持5A连续漏极电流（ID），漏源耐压（VDSS）为40V，适用于中低功率电源管理与开关应用。其导通电阻（RDON）仅为68mΩ，能够有效降低导通损耗，提升系统能效。该器件广泛应用于各类小型电子设备中的电源控制、负载切换、电池管理和DC-DC转换电路。凭借优异的导电性能与稳定的电气特性，可满足多种通用电路对效率与可靠性的基本要求。
- 商品型号
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- 商品编号
- C49256444
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
SQ2319ADS-T1_BE3采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = - 40V,漏极电流ID = - 5A
- 当栅源电压VGS = - 10V时,导通电阻RDS(ON) < 85mΩ
- 当栅源电压VGS = - 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 120mΩ
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 直流-直流转换器
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