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RJK5026DPP-HXY

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为500V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件具备较高的开关速度与较低的导通损耗，适用于各类中高功率电源变换系统，如开关电源、DC-DC转换器及电机控制电路。其性能稳定，能够满足高效能、小型化电子设备对功率管理的技术要求，适用于多种通用工程应用场景。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
RJK5026DPP-HXY
商品编号
C49256440
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.416克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.864nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)286pF

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