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FDPF16N50-HXY

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本N沟道场效应管（MOSFET）具备20A漏极电流能力，漏源电压耐受值为500V，导通电阻为260mΩ。该器件具有良好的热稳定性和较高的开关效率，适用于电源适配器、电池管理系统、光伏逆变装置及各类中功率电子设备中的电力控制与转换应用，能满足对性能和可靠性有较高要求的电路设计方案。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDPF16N50-HXY
商品编号
C49256441
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.432克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.864nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)286pF

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