BFL4037-HXY

硅N沟道功率MOSFET

描述

本N沟道增强型场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）和500V漏源击穿电压（VDSS），适用于多种中高功率电源转换应用。导通电阻（RDON）典型值为260mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用成熟封装与制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、充电设备、LED驱动模块及各类电力电子变换装置，满足对性能和稳定性有较高要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BFL4037-HXY

商品编号

C49256439

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.428克(g)