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UPA2755GR-E2-AT-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计，具备良好的导通特性和开关性能。其漏极电流ID可达8.5A，漏源电压VDSS为30V，适用于中功率电源管理场景。导通电阻RDON低至15mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件适用于各类电源转换设备、电机驱动电路、电池管理系统以及高性能数字控制电路，为电路设计提供了高可靠性和优异的热稳定性表现。
- 商品型号
- UPA2755GR-E2-AT-HXY
- 商品编号
- C49256429
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
购买数量
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