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UPA2751GR-E1-AT-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述
本场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计，具备良好的导通性能与开关特性。其最大漏极电流ID为10A，漏源电压VDSS为30V，适合多种中高功率应用场合。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于减少能量损耗并提高系统效率。该器件适用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关电路以及高性能计算设备中的高频开关应用，具有稳定可靠的工作表现。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
UPA2751GR-E1-AT-HXY
商品编号
C49256434
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)910pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

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