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RJL5014DPP-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的漏极电流承载能力，漏源电压耐受值达500V，适用于中高功率环境下的电流控制需求。导通电阻为260mΩ，在保证性能的同时兼顾了较低的导通损耗。器件结构稳定，响应速度快，适合用于电源变换器、开关电路、电机控制及高效能电子设备中，为电路设计提供可靠的技术支持与实现方案。
- 商品型号
- RJL5014DPP-HXY
- 商品编号
- C49256437
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
RJL5014DPP可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220/TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V,ID = 20A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 0.3Ω
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。
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