温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4932DY-T1-GE3-HXY
双N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计，具备良好的导通性能与高效的电流控制能力。其最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中功率应用场景中的稳定性与可靠性。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的高效能需求场景，提供紧凑且高效的解决方案。
- 商品型号
- SI4932DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256435
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐
- AOTF14N50
- RJL5014DPP-HXY
- AOTF16N50
- BFL4037-HXY
- RJK5026DPP-HXY
- FDPF16N50-HXY
- FDD5N50NZTM-HXY
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- IRLR3105TRPBF-HXY
- HUF75321D3ST-HXY
- AUIRLR3105TRL-HXY
- HUFA75321D3ST-HXY
- DMNH6042SK3Q-13-HXY
- DMNH6042SK3-13-HXY
- SVD5867NLT4G-HXY
- IPD50P04P4-13-HXY
- SQD50P04-13L_GE3-HXY
- DMPH4013SK3-13-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD50P04-08-BE3-HXY