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SI4932DY-T1-GE3-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道设计，具备良好的导通性能与高效的电流控制能力。其最大漏极电流ID为10A，漏源击穿电压VDSS为30V，确保在中功率应用场景中的稳定性与可靠性。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备中的高效能需求场景，提供紧凑且高效的解决方案。
- 商品型号
- SI4932DY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256435
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
SI4932DY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 10A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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