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AOTF14N50

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID和500V的漏源击穿电压VDSS，适用于较高功率与电压的应用场景。其导通电阻RDON为260mΩ，在同类器件中具备良好的导电性能与较低的能量损耗。该MOSFET适合用于电源转换、电机驱动、高频开关及各类中高功率电子设备中，提供稳定且高效的电流控制能力，满足多样化电路设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOTF14N50
商品编号
C49256436
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.444898克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)165W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)63nC@10V
输入电容(Ciss)2.864nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)286pF

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