温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOTF14N50
硅N沟道功率MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID和500V的漏源击穿电压VDSS，适用于较高功率与电压的应用场景。其导通电阻RDON为260mΩ，在同类器件中具备良好的导电性能与较低的能量损耗。该MOSFET适合用于电源转换、电机驱动、高频开关及各类中高功率电子设备中，提供稳定且高效的电流控制能力，满足多样化电路设计需求。
- 商品型号
- AOTF14N50
- 商品编号
- C49256436
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.444898克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
- FDD5N50NZTM-HXY
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- AUIRLR3105TRL-HXY
- HUFA75321D3ST-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD40151EL-GE3-HXY
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- FDD6690S-HXY
- IRLR8256PBF-HXY
- NTD4404N1G-HXY
- DMN2041UVT-13-HXY
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- MMFTP3401-HXY
- SI3401A-HXY
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- AO7414
- DMP2070U-13-HXY
- CPH3340-TL-E-HXY
- IRLR2905TRPBF-HXY
- FDD5N50NZTM-HXY
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- AUIRLR3105TRL-HXY
- HUFA75321D3ST-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD40151EL-GE3-HXY
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- FDD6690S-HXY
- IRLR8256PBF-HXY
- NTD4404N1G-HXY
- DMN2041UVT-13-HXY
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- MMFTP3401-HXY
- SI3401A-HXY
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- AO7414
- DMP2070U-13-HXY
- CPH3340-TL-E-HXY
- IRLR2905TRPBF-HXY