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FDS6982AS-HXY

双N沟道增强型MOSFET

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描述
本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中高功率电源系统。导通电阻RDON仅为12mΩ，有效降低功率损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路，具备稳定的工作表现和较强的适用性。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDS6982AS-HXY
商品编号
C49256433
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.112克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@10V
输入电容(Ciss)910pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF

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