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FDS6982AS-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本场效应管（MOSFET）为N+N沟道组合结构，具备良好的导通特性和开关响应。其最大漏极电流ID为10A，漏源耐压VDSS达30V，适用于中高功率电源系统。导通电阻RDON仅为12mΩ，有效降低功率损耗并提升整体效率。该器件可广泛应用于电源转换器、同步整流、电池管理系统及高性能计算设备中的开关电路，具备稳定的工作表现和较强的适用性。
- 商品型号
- FDS6982AS-HXY
- 商品编号
- C49256433
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
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