温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG4800LSDQ-13-HXY
双N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款场效应管（MOSFET）采用N+N沟道组合设计，具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达10A，漏源电压VDSS为30V，满足中高功率场景需求。导通电阻RDON低至12mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。该器件适用于电源管理、DC-DC转换、负载开关及高性能计算设备中的高频开关应用，提供稳定可靠的电气性能表现。
- 商品型号
- DMG4800LSDQ-13-HXY
- 商品编号
- C49256432
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
- FDS6982AS-HXY
- AOTF14N50
- FDD5N50NZTM-HXY
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- AUIRLR3105TRL-HXY
- HUFA75321D3ST-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD40151EL-GE3-HXY
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- FDD6690S-HXY
- IRLR8256PBF-HXY
- NTD4404N1G-HXY
- DMN2041UVT-13-HXY
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- MMFTP3401-HXY
- SI3401A-HXY
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- AO7414
- DMP2070U-13-HXY
- FDS6982AS-HXY
- AOTF14N50
- FDD5N50NZTM-HXY
- SQ2319ADS-T1_GE3-HXY
- SQ2319ADS-T1_BE3-HXY
- AUIRLR3105TRL-HXY
- HUFA75321D3ST-HXY
- SQD50P04-13L_T4GE3-HXY
- SUD40151EL-GE3-HXY
- SMIRF4N65T9RL-HXY
- FDD6690S-HXY
- IRLR8256PBF-HXY
- NTD4404N1G-HXY
- DMN2041UVT-13-HXY
- MMFTP3334K-AQ-HXY
- SI1317DL-T1-GE3-HXY
- MMFTP3401-HXY
- SI3401A-HXY
- SI2343DS-T1-BE3-HXY
- AO7414
- DMP2070U-13-HXY