XP202A0003PR-G-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至50毫欧，可实现高效功率传输。采用P沟道结构，适用于多种电源管理和开关电路场景。器件具备良好的热稳定性和快速开关特性，适合用于小型电机驱动、电池供电设备、便携式电子产品及各类低边或高边开关应用中，满足对尺寸与性能均有要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

XP202A0003PR-G-HXY

商品编号

C49256426

商品封装

SOT-89​

包装方式

编带

商品毛重

0.090955克(g)