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AO4266E
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60V漏源耐压（VDSS）和10A连续漏极电流（ID）的承载能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可有效提升电源转换效率。采用N沟道结构设计，适用于多种开关电源、DC-DC转换器及负载管理电路。其具备良好的热稳定性和快速开关特性，能够满足高性能电子设备对功率控制与电能分配的应用需求，适合用于消费类电子产品及通信设备中。
- 商品型号
- AO4266E
- 商品编号
- C49256425
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126263克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF |
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