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ZXMP3A16N8TA-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和6A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至28毫欧，可实现高效功率传输。采用P沟道结构设计，适用于多种电源管理和开关电路场景。其性能稳定，响应速度快，适合用于精密电子设备中的电压控制、负载开关及功率调节等应用，为电路提供可靠支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ZXMP3A16N8TA-HXY
商品编号: C49256423
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.128788克(g)

商品参数

ZXMP3A16N8TA采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。