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SI4431DY-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和6A连续漏极电流（ID）的电气特性，导通状态下的源漏电阻（RDON）仅为28毫欧，有助于降低功率损耗。器件采用P沟道结构，适用于各类中低功率开关与电源管理电路。其高可靠性与快速响应能力，可满足多种电子设备对电压控制、负载切换及功率调节的需求，广泛应用于便携式电子产品、智能家居设备及通信模块等场景。
- 商品型号
- SI4431DY-HXY
- 商品编号
- C49256424
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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