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SMIRF20N65T2TL-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为380mΩ，适用于高电压与较大功率环境下的开关控制。其较高的耐压能力与良好的电流承载特性，可广泛用于电源转换、高频电路、电机驱动以及各类中高功率电子系统中，满足多样化电路设计对稳定性和效率的需求。
- 商品型号
- SMIRF20N65T2TL-HXY
- 商品编号
- C49256421
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.979592克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.234nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 266pF |
优惠活动
购买数量
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