DMP3021SFVWQ-7-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达32A，漏源电压VDSS为30V，满足多种中低压应用场景需求。导通电阻RDON低至10mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等场景，在高频开关和节能要求较高的电路设计中表现优异。器件采用成熟封装工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适合各类通用电子系统的设计与应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMP3021SFVWQ-7-HXY

商品编号

C49256416

商品封装

DFN-8(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.056克(g)