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DMP3021SFVWQ-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有较高的电流承载能力，连续漏极电流ID可达32A，漏源电压VDSS为30V，满足多种中低压应用场景需求。导通电阻RDON低至10mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等场景，在高频开关和节能要求较高的电路设计中表现优异。器件采用成熟封装工艺，具备良好的热稳定性和可靠性，适合各类通用电子系统的设计与应用。
- 商品型号
- DMP3021SFVWQ-7-HXY
- 商品编号
- C49256416
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
DMP3021SFVWQ-7采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -50A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 13mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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