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IPD80P03P4L07ATMA1-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为P沟道增强型场效应管（MOSFET），具备较高的电流承载能力和优良的导通特性。其最大漏极电流ID可达70A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为8mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电池供电设备及负载开关等应用场景，满足对功率控制稳定性和可靠性较高的需求。器件采用标准封装设计，便于散热与PCB布局，支持多并联使用，为各类中高功率电子系统提供高效、可靠的核心支持。
- 商品型号
- IPD80P03P4L07ATMA1-HXY
- 商品编号
- C49256419
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.367337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 255pF |
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