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SQ2398ES-T1_BE3-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有100V的漏源击穿电压（VDSS）和2A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为220mΩ，适用于需要高效开关和低导通损耗的电路设计。其较高的耐压能力和稳定的电流承载性能，使其可应用于电源管理、直流变换器、负载开关以及各类嵌入式电子设备中，满足多种基础电力电子变换需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SQ2398ES-T1_BE3-HXY
商品编号
C49256420
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.025839克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))220mΩ@10V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9.7nC@10V
输入电容(Ciss)508pF
反向传输电容(Crss)16.4pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)29pF

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