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BSS119NH6327XTSA1-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS119NH6327XTSA1-HXY

N沟道增强型MOSFET

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描述
本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),适用于小功率开关及信号控制类应用。主要参数包括:最大漏极电流ID为0.2A,漏源击穿电压VDSS为100V,导通电阻RDON为2800mΩ,具备较高的电压耐受能力,适合用于低电流场景下的开关控制。该器件广泛应用于消费类电子产品中的电源管理、LED驱动、继电器控制及小型家电控制电路中,性能稳定,兼容性强。
商品型号
BSS119NH6327XTSA1-HXY
商品编号
C49256418
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.024832克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170mA
导通电阻(RDS(on))6Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)30pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)10pF

商品概述

BSS119NH6327XTSA1采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 0.17A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6Ω

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF