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BSS119NH6327XTSA1-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于小功率开关及信号控制类应用。主要参数包括：最大漏极电流ID为0.2A，漏源击穿电压VDSS为100V，导通电阻RDON为2800mΩ，具备较高的电压耐受能力，适合用于低电流场景下的开关控制。该器件广泛应用于消费类电子产品中的电源管理、LED驱动、继电器控制及小型家电控制电路中，性能稳定，兼容性强。
- 商品型号
- BSS119NH6327XTSA1-HXY
- 商品编号
- C49256418
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
BSS119NH6327XTSA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 0.17 A
- RDS(ON) < 6 Ω @ VGS = 10 V
- ESD等级：1500V HBM
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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