SMIRF8N65T2TL-HXY

硅N沟道功率MOSFET

描述

本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备10A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），适用于高压开关应用环境。导通电阻（RDON）为860mΩ，在同类器件中具备良好的导通性能，有助于提升电路效率。器件结构设计优化，具有较强的耐压能力和稳定的工作表现，适用于电源适配器、充电器、LED驱动模块以及各类交直流转换设备中的高频开关电路设计，满足高效能与高可靠性要求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SMIRF8N65T2TL-HXY

商品编号

C49256411

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.429293克(g)