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DMP3021SFVW-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和32A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可有效减少功率损耗并提升整体效率。采用P沟道结构，适用于各类中高功率电源管理应用，如直流转换器、电源开关控制、电池管理系统及负载驱动电路。该器件具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合用于对空间、效率与可靠性有较高要求的电子系统设计。
- 商品型号
- DMP3021SFVW-7-HXY
- 商品编号
- C49256415
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |
商品概述
DMP3021SFVW-7采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -50A
- RDS(ON) < 13mΩ @ VGS = -10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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