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SI7617DN-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）的主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至10mΩ。该器件具备较高的电流承载能力和较低的导通损耗，适用于多种功率开关和控制场景。其P沟道结构适合用于电源侧开关或负载切换应用，可有效提升系统效率与稳定性。典型应用场景包括便携式电源设备、消费类电子产品中的DC-DC转换模块、电池充放电管理电路以及各类中功率开关控制单元。
- 商品型号
- SI7617DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256412
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05604克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；16mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个5000个/圆盘
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