温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI7129DN-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）和32A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至10毫欧，可支持高效功率传输。采用P沟道结构，适用于各类中高功率电源管理场景，如直流电源转换、负载开关控制及电池管理系统等。器件具备良好的热稳定性和响应速度，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能，适合用于对效率与空间布局均有要求的电路设计。
- 商品型号
- SI7129DN-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C49256413
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
相似推荐
其他推荐
- HAON7401
- DMP3021SFVW-7-HXY
- DMP3021SFVWQ-7-HXY
- DMP3021SFVWQ-13-HXY
- BSS119NH6327XTSA1-HXY
- IPD80P03P4L07ATMA1-HXY
- SQ2398ES-T1_BE3-HXY
- SMIRF20N65T2TL-HXY
- SMIRF16N65T2TL-HXY
- ZXMP3A16N8TA-HXY
- SI4431DY-HXY
- AO4266E
- XP202A0003PR-G-HXY
- FDS8978-HXY
- IRF7907TRPBF-HXY
- UPA2755GR-E2-AT-HXY
- DMG4800LSD-13-HXY
- IRF8313TRPBF-HXY
- DMG4800LSDQ-13-HXY
- FDS6982AS-HXY
- UPA2751GR-E1-AT-HXY