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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HAON7401

P沟道增强型MOSFET

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描述
本P沟道场效应管(MOSFET)具备30V漏源电压(VDSS)和32A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)仅为10毫欧,有助于降低导通损耗并提升系统效率。器件采用P沟道设计,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、电源开关、电池保护电路及高性能负载驱动电路。其低导通电阻与良好热稳定性相结合,可满足对空间、效率及可靠性有较高要求的电路设计方案。
商品型号
HAON7401
商品编号
C49256414
商品封装
DFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.056克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)32A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.57W
阈值电压(Vgs(th))1.95V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.345nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)194pF

商品概述

HAON7401采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -50A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 13mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF