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AOTF13N50

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频率开关应用。其主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS达500V，导通电阻RDON为400毫欧。高耐压与低导通电阻特性使其在电源转换、电机控制及照明驱动等场景中具备优异的性能表现，同时支持高效能与小型化设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
AOTF13N50
商品编号
C49256407
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.757克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)2.15nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF

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