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STF13NK50Z-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高频开关电路设计。主要参数包括：漏极电流ID为13A，漏源击穿电压VDSS为500V，导通电阻RDON为400毫欧。该器件具备较高的耐压能力和较低的导通损耗，在电源管理、电机驱动以及LED照明等应用中表现出良好的稳定性和转换效率，适合对空间与能效有要求的电路设计方案。
- 商品型号
- STF13NK50Z-HXY
- 商品编号
- C49256408
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.758克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
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