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SMIRF13N50T2TL-HXY实物图
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SMIRF13N50T2TL-HXY

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和13A的额定漏极电流（ID），适用于中高功率场景。导通电阻（RDON）为400mΩ，可在开关过程中有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用标准封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于电源转换、电机控制、LED驱动及家电控制等通用电子设备中，满足多种电路设计需求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SMIRF13N50T2TL-HXY
商品编号
C49256409
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))400mΩ@10V
耗散功率(Pd)48W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC@10V
输入电容(Ciss)2.15nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF

数据手册PDF

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