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FQPF13N50CF-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的耐压能力和良好的开关特性。其漏极电流ID为13A，漏源电压VDSS高达500V，适用于高压应用场景。导通电阻RDON为400mΩ，在高频开关条件下仍能保持较低损耗。该器件广泛用于电源变换器、高压直流控制、充电管理电路及家用电器中的功率开关部分，适合对效率与稳定性有一定要求的电路设计。
- 商品型号
- FQPF13N50CF-HXY
- 商品编号
- C49256406
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.765657克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
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