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SMIRF4N65T2TL-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）适用于多种高压功率转换与电源管理应用。其主要参数包括：最大漏极电流ID为4A，漏源电压VDSS高达650V，导通电阻RDON为2400mΩ，具备良好的耐压性能和开关稳定性。该器件适用于高效率电源适配器、LED驱动电路、高频DC-AC逆变器以及各类中小型功率电子设备的设计与实现，满足对高压工作环境下的可靠运行需求。
- 商品型号
- SMIRF4N65T2TL-HXY
- 商品编号
- C49256405
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.461616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
SMIRF4N65T2TL可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650V,ID = 4A
- RDS(ON) < 2.8Ω @ VGS = 10V
应用领域
-适配器和充电器的功率开关电路。
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