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RQ5E035ATTCL-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和4.2A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为45mΩ，有助于降低导通损耗并提升整体效率。该器件适用于中低功率电源管理系统，如便携式电子设备、智能家居控制模块及小型电源适配器等应用场景。其优异的电气性能与稳定的开关表现，使其成为各类消费类电子产品中理想的场控开关元件，满足高效、低发热与高可靠性的设计需求。
- 商品型号
- RQ5E035ATTCL-HXY
- 商品编号
- C49256403
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026846克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
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