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NCE82H140D实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE82H140D

1个N沟道 耐压:82V 电流:140A

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描述
NCE82H140D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE82H140D
商品编号
C502762
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.211克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)82V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)220W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)158nC@10V
输入电容(Ciss)7.9nF@40V
反向传输电容(Crss)384pF@40V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品概述

NCE82H140D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。

商品特性

  • VDS = 82V,ID = 140A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 5.2mΩ(典型值:4.3mΩ)
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用优秀封装,散热性能良好

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF