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NCE30P20Q
1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- NCE30P20Q采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30P20Q
- 商品编号
- C502778
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 227pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE30P20Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -20A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理