1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
- 5+: ¥1.2672 / 个
- 50+: ¥1.1192 / 个
- 150+: ¥1.0557 / 个
- 500+: ¥0.9766 / 个
- 2500+: ¥0.9413 / 个
- 5000+: ¥0.9202 / 个 (折合1圆盘4601元)
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¥1.0557 / 个 |
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¥0.9766 / 个 |
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¥0.9413 / 个 |
5000+: |
¥0.9202 / 个 (折合1圆盘4601元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
功率(Pd) | 35W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,15A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 45.6nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.13nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 227pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |