- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE0224A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 220V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NCE0224A采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- VDS = 200V, ID = 24A
- RDS(ON) < 80 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:62mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源