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NCE8295AK
1个N沟道 耐压:82V 电流:95A
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- 描述
- NCE8295AK采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(ON)。该器件适用于脉冲宽度调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE8295AK
- 商品编号
- C502806
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE01H11采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 110A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 9毫欧
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD防护能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源