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NCE30PD08S

NCE30PD08S

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商品型号
NCE30PD08S
商品编号
C502829
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)33V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC
输入电容(Ciss)1.6nF
反向传输电容(Crss)300pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)350pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

NCE30PD08S采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。

商品特性

  • VDS = -30V,ID = -8A
  • RDS(ON) < 35 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
  • RDS(ON) < 20 m Ω(@ VGS = -10 V)
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 表面贴装封装

应用领域

-电池开关-负载开关-电源管理

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