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NCE0130A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷和出色的导通电阻。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0130A
- 商品编号
- C502832
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.479nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE60P06S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -60V，漏极电流（ID） = -6A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 50mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 对雪崩电压和电流进行了全面特性表征
- 出色的封装，具备良好的散热性能
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC-DC转换器