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NCE0130A
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷和出色的导通电阻。可用于多种应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE0130A
- 商品编号
- C502832
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.479nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE60P06S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 30A
- RDS(ON)< 32 m Ω(在 VGS=10 V 时,典型值为 25 m Ω)
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(on)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源