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NCE60P10K
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻 (RDS(ON))。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE60P10K
- 商品编号
- C502840
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE01ND03S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = 100V，漏极电流 = 3A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 < 130mΩ
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 < 140mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源