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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE60P10K

1个P沟道 耐压:60V 电流:10A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻 (RDS(ON))。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品型号
NCE60P10K
商品编号
C502840
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.52克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)25nC
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

NCE01ND03S采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = -60V, ID = -10A
  • RDS(ON) < 120 m Ω(@ VGS = -10 V)
  • RDS(ON) < 170 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 散热性能良好的出色封装

应用领域

-负载开关-PWM应用

数据手册PDF