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NCE3404Y实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3404Y

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
NCE3404Y采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。
商品型号
NCE3404Y
商品编号
C502851
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)12.6nC@15V
输入电容(Ciss)485.8pF@15V
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE3404Y采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 5.8A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 28 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • 负载开关-PWM应用

数据手册PDF