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NCE2309实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE2309

1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供低栅极电荷和出色的导通电阻。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品型号
NCE2309
商品编号
C502865
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)1.6A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V,1.5A
耗散功率(Pd)1.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.6V
栅极电荷量(Qg)14.3nC
输入电容(Ciss)370pF@30V
反向传输电容(Crss)5pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE2309采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -60V,漏极电流ID = -1.6A
  • 在栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 190 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 采用散热性能良好的封装

应用领域

  • 负载开关-PWM应用

数据手册PDF