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NCE40P05S
1个P沟道 耐压:40V 电流:5.3A
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- 描述
- NCE40P05S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40P05S
- 商品编号
- C502868
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE40P05S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -5.3A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 80 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 封装散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-DC-DC转换器