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NCE30H10G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30H10G

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
使用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于各种应用。
商品型号
NCE30H10G
商品编号
C502869
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.168克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)65W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)115nC@15V
输入电容(Ciss)6.268nF@15V
反向传输电容(Crss)563pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE30ND07S采用先进的沟槽技术和设计,可提供极低的栅极电荷和出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压 = 30V,漏极电流 = 7A
  • 栅源电压 = 10V时,漏源导通电阻 < 23mΩ
  • 栅源电压 = 4.5V时,漏源导通电阻 < 40mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF