NCE4953A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V,4.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE3400A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压 = 30V，漏极电流 = 5.8A
- 栅源电压为2.5V时，漏源导通电阻 < 55 mΩ
- 栅源电压为4.5V时，漏源导通电阻 < 42 mΩ
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 40 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 开关应用