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NCE9435实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE9435

1个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A

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描述
NCE9435采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品型号
NCE9435
商品编号
C502873
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.203克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.1A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)11nC
输入电容(Ciss)980pF@15V
反向传输电容(Crss)135pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

NCE9435采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = -30 V,漏极电流ID = -5.1 A
  • 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 90 mΩ
  • 当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 55 mΩ
  • 具备高功率和电流处理能力
  • 产品无铅
  • 采用表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用-负载开关-电源管理

数据手册PDF