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NCE65TF068T

1个N沟道 耐压:650V 电流:53A

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商品型号
NCE65TF068T
商品编号
C502877
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.91克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)53A
导通电阻(RDS(on))62mΩ@10V,27A
耗散功率(Pd)435W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)85nC@480V
输入电容(Ciss)4.5nF@100V
反向传输电容(Crss)2.2pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

该系列器件采用先进的超结技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。

商品特性

  • 高压器件的新技术
  • 低导通电阻和低传导损耗
  • 小封装
  • 超低栅极电荷,降低驱动要求
  • 100% 雪崩测试
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 开关电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)

数据手册PDF