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NCE65TF130T

N沟道超结功率MOSFET

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描述
使用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于行业AC-DC SMPS的PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用。
商品型号
NCE65TF130T
商品编号
C502899
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.73克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)28A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)260W
阈值电压(Vgs(th))3.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)37.5nC@10V
输入电容(Ciss)2.07nF
反向传输电容(Crss)0.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

数据手册PDF