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NCE80T560F

1个N沟道 耐压:800V 电流:9A

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描述
该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计,可实现低栅极电荷的优异导通电阻。此超级结MOSFET适用于行业AC-DC开关电源的PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用。
商品型号
NCE80T560F
商品编号
C502907
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.73克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))480mΩ@10V,4A
耗散功率(Pd)33.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
输入电容(Ciss)1.39nF@50V
反向传输电容(Crss)0.3pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF